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內(nèi)存條卡座的發(fā)展歷史——華睿優(yōu)創(chuàng)專業(yè)生產(chǎn)

古老的SIMM時代

遠古的30pin SIPP （Single In－line Pin Package） 接口，針腳的定義其實與30pin SIMM一樣的。

SIPP很快就被SIMM（Single In－line Memory Modules）取代了，兩側(cè)金手指傳輸相同的信號，早期的內(nèi)存頻率與CPU外頻是不同步的，是異步DRAM，細分下去的話包括FPM DRAM（Fast Page Mode DRAM）與EDO DRAM（Extended data out DRAM），常見的接口有30pin SIMM與72pin SIMM，工作電壓都是5V。

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古老的SIMM時代

有趣的是DIP芯片形式的內(nèi)存與內(nèi)存條共存了一段比較長的時間，在不少286的主板上你可以同時看到DIP內(nèi)存芯片與30pin SIMM內(nèi)存插槽，它們是可以一齊工作的。

隨后誕生了72pin SIMM內(nèi)存，單根內(nèi)存位寬增加到32位，一根就可以滿足32位數(shù)據(jù)總線處理器，擁有64位數(shù)據(jù)總線的奔騰處理器則需要兩根，內(nèi)存容量也有所增加，它的出現(xiàn)很快就替代了30pin SIMM內(nèi)存，386、486以及后來的奔騰、奔騰Pro、早期的奔騰II處理器多數(shù)會用這種內(nèi)存。

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展望未來的DDR5內(nèi)存——華睿優(yōu)創(chuàng)專業(yè)生產(chǎn)

現(xiàn)在DDR4還沒普及談DDR5可能有點早，DDR5內(nèi)存目前還在研發(fā)階段，尚未有具體規(guī)范，所以廠商公布的很多規(guī)格都不是確定的，其目標是相比DDR4內(nèi)存至少帶寬翻倍，容量更大，同時更加節(jié)能，具體來說就是數(shù)據(jù)頻率從目前1.6－3.2Gbps的水平提升到3.2－6.4Gbps，預取位寬從8bit翻倍到16bit，內(nèi)存庫提升到16－32個。至于電壓，DDR4電壓已經(jīng)降至1.2v，DDR5有望降至1.1v或者更低。

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